Los semiconductores de potencia, entre ellos los IGBT, están ganando aceptación debido a su implementación en muchos tipos de aplicaciones de alta tensión. Sin embargo, se espera que estos componentes alcancen una alta eficiencia y fiabilidad además de mantener unos bajos niveles de pérdidas. Al ampliar su gama existente, formada por IGBT para alta corriente e IGBT con una menor tensión de saturación y una conmutación más rápida, Rohm presenta ahora su 3ª generación de IGBT para una alta eficiencia. Los nuevos dispositivos utilizan una estructura de oblea más fina, así como tecnologías de atenuación de campo y estructura propia de puerta de zanja para obtener las prestaciones más avanzadas con el fin de cubrir la creciente necesidad de conmutación a alta frecuencia. Los nuevos IGBT de 650V de 3ª generación de Rohm, basados en una estructura avanzada de atenuación de campo, ofrecen un menor gradiente de concentración de portadores en la región de deriva que permite mejorar la distribución de los portadores. Gracias a ello es posible reducir la tensión de saturación y aumentar la velocidad de conmutación, logrando así un excelente compromiso entre la tensión de saturación y las pérdidas en el paso a corte, a diferencia de las soluciones convencionales.