Dada la amplia disponibilidad de IGBTs y MOSFETs de potencia de alto voltaje con clasificaciones de voltaje de ruptura de 500 a 800 V, los diseñadores suelen enfrentarse al reto de seleccionar un IGBT o MOSFET para una aplicación dada y un conjunto de condiciones operativas. En el caso de accionamientos de motor de velocidad variable trifásicos en el rango de potencias nominales de 300 W a 5 kW, utilizando una tensión de bus cc en el rango de 300 a 400 V y típicamente implementado mediante una topología de seis interruptores, Los IGBT de 600 a 650 V (co-empaquetados con un diodo de recuperación rápida anti-paralelo) han sido tradicionalmente el dispositivo preferido desde una perspectiva de rendimiento global. Sin embargo, con la disponibilidad de alta velocidad de conmutación, RDS bajo (on) y diodos de cuerpo de recuperación relativamente rápidos de 500 a 650 V, se plantea la cuestión de si es hora de que el IGBT ceda el MOSFET