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29

May

Diferencias basicas y fisicas entre el IGBT Y el MOSFET

Después de evolucionar lado a lado en las últimas tres décadas, los transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs) y MOSFET dominan ahora el mercado de semiconductores de potencia en aplicaciones como unidades de motor, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores solares. Entonces, ¿dónde hacer IGBTs hacer el mejor ajuste, y cuándo tiene sentido de diseño mejor para ir con un MOSFET? Estructuras y principios básicos El IGBT es un dispositivo semiconductor que combina las características de salida de un transistor bipolar y las características de accionamiento de puerta de un MOSFET. Por lo tanto, el IGBT es un dispositivo portador de minorías con alta impedancia de entrada y alta capacidad de transporte de corriente. En comparación con los MOSFETs, los IGBT también son más adecuados para escalar en capacidad de manejo de corriente a niveles de voltaje más altos debido a sus características de salida bipolares.